《功能材料与器件学报》“存算一体材料与器件系统”专题征文通知
存算一体化通过计算和存储的重新耦合,能够降低计算系统对于数据带宽的依赖,从而进一步释放计算能力。而在器件和材料层面,这一方向也代表了一种将原有的数字计算在数字和模拟间重新分配以提高计算能效的思路。其超高能效的特征使其有望应用于生物电子和物联网等功耗关键的领域,以及人工智能和高性能计算等数据和计算密集型的场景。
为实现这一目标,目前迫切需要构造一套模拟计算的基础设施,包括具有优良模拟特性的功能材料,针对模拟特性进行优化的存储计算单元以及模拟计算电路及其系统。为实现高静态线性度,高动态线性度,高数据保存时间以及高存储密度等器件特性,需要材料和器件的大量创新和联合优化。在这一基础上,需要系统层面验证其有效性以实现真正的技术落地。此外,作为国际上的研究热点,存算一体化的材料,器件以及系统工作日新月异,准确及时的综述有助于协同各方研究力量解决关键问题。
《功能材料与器件学报》编辑部特邀浙江大学赵毅教授和中国科学院上海微系统与信息技术研究所俞文杰研究员策划了“存算一体材料与器件系统”专题,将在学报第六期“热点·关注”栏目刊出,欢迎广大师生、科研人员、工程技术人员踊跃投稿、荐稿。
征稿范围:
● 存算一体化材料与器件系统综述;
● 作为模拟存储介质或其辅助结构的材料技术;
● 存算一体化器件设计;
● 存算一体化材料和器件结构联合优化;
● 存算一体化集成电路计算系统;
● 面向生物电子、物联网、人工智能以及高性能计算等领域的存算一体化应用;
征稿要求:
1、稿件须为原创作品,具有创新性、科学性、学术性和可读性。投稿论文须保证尚未公开发表过,且不涉及泄密问题,若发生侵权或泄密问题,责任由作者承担。
2、请勿一稿多投,如有剽窃、抄袭等学术不端行为,责任由作者承担。编辑部对来稿有审查、删改权,作者如有保留,请预先声明。
3、稿件须主体明确,数据可靠,图表清晰,逻辑严谨,文字精炼,标点符号正确。
4、投稿方式:登录我刊投稿官网(http://www.gncq.cbpt.cnki.net/)进行投稿,本刊不接收邮箱投稿。
5、上传稿件前,请下载“论文模板”、“文章插图说明”、“参考文献格式要求”,按照文件要求整理稿件。
6、投稿截止时间:2021年11月20日
特邀编委简介:
赵毅,浙江大学信息与电子工程学院教授,博导,IEEE 高级会员(Senior Member)。2000年毕业于南京航空航天大学,获学士学位, 2003年毕业于浙江大学获硕士学位,2007年毕业于(日本)东京大学获博士学位。多年在日本东京大学,美国IBM国际半导体研发联盟/Globalfoundries公司从事先进集成电路器件与工艺方面的研究。目前的研究方向主要包括:先进集成电路制造工艺和相关器件、基于新器件的先进计算技术、先进器件与芯片测试技术等,多次在国际电子器件领域的权威会议IEEE IEDM、VLSI Symposium、IEEE IRPS(2020 Best Paper Award)上报告研究成果。以第一作者或通讯作者在权威杂志发表论文60余篇,包括:IEEE Transaction on Electron Devices, IEEE Electron Device Letters,Applied Physics Letters等。主持有国家科技创新重大项目1项,国家“02”重大科技专项项目子课题1项,曾负责国家“973”计划项目课题,国家自然科学基金项目2项。
俞文杰,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员,博士。2005年毕业于复旦大学材料物理专业,获学士学位。2011年毕业于中国科学院上海微系统与信息技术研究所微电子学与固体电子学专业,获博士学位,师从王曦院士。2009年9月至2011年8月,在德国于利希研究中心(Forschungszentrum Jülich)作为访问学者,从事SOI器件、高迁移率沟道器件的研究。2011年至今,在上海微系统所信息功能材料国家重点实验室从事基于SOI的高迁移率材料与器件研究。具有扎实的半导体材料及器件的理论基础,并熟练掌握SOI及其他高端硅基材料的制备技术和MOS器件制备技术,同时还积累了丰富的高迁移率MOS器件的制备、分析的经验。共在发表学术论文50余篇,其中高迁移率MOS器件的研究成果在IEEE Electron Device Letter、IEEE Transaction on Electron Device等国际顶尖电子器件期刊上发表。主持国家自然科学基金青年基金一项,参与国家科技重大专项“02专项”两项。