《功能材料与器件学报》“纳米存储材料与器件”专题征文通知
2021年全球半导体市场首次突破5000亿美元，作为其中的关键组件之一信息存储器已经形成了一个主要由DRAM与NAND Flash组成的超过1600亿美元的市场。同时，新型存储技术开始逐步迈向产业化，将有可能重塑未来存储市场格局。我国正在大力发展半导体存储技术，提前布局新型存储技术研究和产业化开发，特别是解决核心的存储材料与器件的关键科学问题和技术问题，将是建立未来存储技术生态的重要部分。
由于CPU和存储器随着“摩尔定律”在数据处理速度上越来越显著的不对称发展，“存储墙”问题严重制约着计算机系统整体速度的提高；功耗方面，存储器所占的比例越来越大，已经与CPU处于同一水平，在一些高性能服务器和数据中心系统中，存储器功耗甚至开始逐渐成为系统主要的部分。另外，存储器应用领域的特征也在发生转变，从开始的以计算为主到以存储为主，再到“流媒体”代表的以数据交换为主，应用领域出现了多元化的局面，这也对传统存储器产品覆盖所有应用领域的设计方式提出了挑战。研究开发速度更高、功耗更低、带宽更大、成本更低的存储器技术迫在眉睫。因此大力开展下一代高密度、高速度和低功耗的新型存储器，如相变存储器（PCRAM）、阻变存储器（RRAM）、磁存储器（MRAM）、铁电存储器（FeRAM）等以及相应嵌入式存储技术研究已成为学术界和工业界的高度共识。
《功能材料与器件学报》编辑部特邀中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠研究员策划了“纳米材料与器件”专题，将在学报第二期“热点·关注”栏目刊出，欢迎广大师生、科研人员、工程技术人员踊跃投稿、荐稿。
征稿范围：
● 新型存储技术综述；
● 相变存储材料与器件；
● 阻变存储材料与器件；
● 磁存储材料与器件；
● 铁电存储材料与器件；
● 新型存储技术应用。
征稿要求：
1、稿件须为原创作品，具有创新性、科学性、学术性和可读性。投稿论文须保证尚未公开发表过，且不涉及泄密问题，若发生侵权或泄密问题，责任由作者承担。
2、请勿一稿多投，如有剽窃、抄袭等学术不端行为，责任由作者承担。编辑部对来稿有审查、删改权，作者如有保留，请预先声明。
3、稿件须主体明确，数据可靠，图表清晰，逻辑严谨，文字精炼，标点符号正确。
4、投稿方式：登录我刊投稿官网（http://www.gncq.cbpt.cnki.net/）进行投稿，本刊不接收邮箱投稿。
5、上传稿件前，请下载“论文模板”、“文章插图说明”、“参考文献格式要求”，按照文件要求整理稿件。
7、投稿截止时间：2022年4月1日
特邀编委简介：
宋志棠，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员，博士生导师，国家万人创新创业领军人才、中科院特聘研究员，上海市领军人才、上海市科技精英提名、新世纪百千万人才工程国家级人选、国务院特殊津贴、中科院院长特别奖导师。西安交通大学电子材料与元器件博士学位。于1998年2月加入中国科学院上海微系统与信息技术研究所。长期从事相变存储器材料与器件、纳米抛光液领域的研究工作，在新型相变材料、相变存储芯片、高密度存储技术、相变抛光等领域取得多项创新性成果。创立八面体基元相变理论，搭建12英寸PCRAM专用平台（1.6亿元），具备Gb级开发能力，研制出我国第一款PCRAM芯片并实现小批量生产。在Science，Nature communications，IEDM等期刊发表了SCI论文600余篇。获授权中国发明专利280余项，美国专利10项，出版相变存储器专著两部。获得2016年上海市技术发明一等奖，第20届中国工业国际博览会创新银奖，2019年中国材料研究学会科学技术一等奖，2020年上海市自然科学一等奖，2021年华为奥林帕斯先锋奖等奖项。作为项目负责人主持国家集成电路重大专项、国家纳米重大科学研究计划项目（超级973）、中科院战略性先导科技专项、国家863重点项目、国家重点基础研究发展计划、国家自然科学基金、上海市科委等科研项目10余项。